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賽默飛Nexsa G2 X 射線光電子能譜儀

更新(xin)時間(jian):2023-02-08

簡要描述:

賽默飛(fei)Nexsa G2 X 射(she)線光電子(zi)(zi)能譜儀可(ke)進行全自(zi)動、高(gao)通量的(de)表面分析,提供用于推進研發或(huo)解(jie)決生產問(wen)題的(de)數據(ju)。 集(ji)成 XPS 與離子(zi)(zi)散射(she)譜(ISS)、紫外光電子(zi)(zi)能譜 (UPS)、反射(she)電子(zi)(zi)能量損(sun)失譜(REELS)和拉(la)曼光譜,讓您進行真正的(de)聯用分析。

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賽默飛Nexsa G2 X 射線光電子能譜儀標準化性能: 

·         絕(jue)緣體(ti)分(fen)析

·         高性能XPS性能

·      ;   深(shen)度(du)剖(pou)析

·         多(duo)技術(shu)聯合

·         雙模(mo)式離子源,使深度剖析(xi)功(gong)能得到擴展(zhan)

·         用于 ARXPS 測量的傾(qing)斜模塊(kuai)

·         用于儀(yi)器控制(zhi)、數(shu)據處理和報告(gao)生產的 Avantage 軟(ruan)件

·         小束斑分析

可選(xuan)的升級(ji):可將多種分析(xi)(xi)技術集成(cheng)到您的檢測分析(xi)(xi)中(zhong)。式自動(dong)運行

·         ISS:離子散射譜,分析材(cai)料(liao)表面1-2原子層(ceng)元素信(xin)息,通過(guo)質量分辨可分析一些同位(wei)素豐(feng)度信(xin)息。

·         UPS:紫外光電子能譜用于分析金(jin)屬/半導體(ti)材料的價帶能級結(jie)構(gou)信息以(yi)及材料表面(mian)功函數信息

·         拉(la)曼(man):拉(la)曼(man)光譜技術用于提供(gong)分子結構(gou)層面(mian)的指紋信息

·         REELS:反射電子能量損失譜(pu)可(ke)用于H元(yuan)素含量的檢(jian)測以(yi)及材料能級(ji)結(jie)構和帶隙信息(xi)

 

賽默飛Nexsa G2 X 射線光電子能譜儀應用領域 

·         電(dian)池

·         生物醫藥

·         催(cui)化劑

·         陶瓷

·         玻璃涂層(ceng)

·         石墨(mo)烯

·   ;      金屬(shu)和氧化物

·         納米材料(liao)

· ;        OLED

·         聚合物

·         半導體

·      ;   太陽(yang)能電池

·         薄膜


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